ساختار تریستور GTO

ساختار تریستور GTO

ساختار تریستور GTO

برای افزایش بهره‌وری امیتر، لایه کاتد بشدت دوپ می‌شود تا تبدیل به N+ شود. اما این مسئله یک ایراد نیز ایجاد می‌کند؛ این‌که پیوند موجود به کاتد ( که معمولا با J3 نام‌گذاری می‌شود) نزدیک‌تر می‌شود و این نزدیکی موجب کاهش ولتاژ شکست پیوند تا حدود 40 – 20 ولت می‌گردد.

 

اما میزان دوپ شدن ناحیه‌ی P دارای درجه‌بندی است که بیش از اندازه یا کم‌تر از حد دوپ نشود چرا که برای ایجاد بهره‌وری بالا در امیتر باید میزان دوپ این ناحیه کم باشد و از طرف دیگر برای این‌که قابلیت خاموش شدن به خوبی ایجاد شود باید میزان دوپ بالا باشد.

معمولا پایه‌ی گیت به منظور دستیابی به قابلیت‌های خاموش و روشن شدن بهینه، از درون به صورت دیجیتال تنظیم می‌شود. گاهی در برخی از دستگاه‌های جریان بالا ( 1000 A و بالاتر) بیش از هزاران قطعه وجود دارند که بسیاری از آن‌ها ممکن است به پایه‌ی گیت متصل باشند. بنابراین نیاز است که کنترل دقیقی بر روی این پایه وجود داشته باشد.

یک مشخصه کلیدی دیگر در GTO ، حداکثر ولتاژ مسدود سازی مستقیم( forward blocking  ) است. این ولتاژ به میزان دوپ و ضخامت ناحیه‌ N پایه بستگی دارد. از آن‌جا که بسیاری از دستگاه‌ها به ولتاژ مسدود سازی در محدوده‌ی کیلوولت نیاز دارند، میزان دوپ این ناحیه باید پایین نگه داشته شود.

آخرین رویدادها

تبلیغات

  • فیوز تندکار فراز فرانسهAC/DC

  • نماینده فیوزهای لاوسون در ایران

  • فیوزهای DF اسپانیا

  • فیوز های فشار قوی باسمن/ فیوزهای فشار قوی EATON

  • فیوز ایتون / EATON FUSE

  • R1446NC12C R1446NC12G R1446NC12F R1446NC12E FAST TURN OFF تریستور فست WESTCODE

  • ماژول سمیکرون ،دیسکی سمیکرون، کابلی سمیکرون